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三星Exynos7420外媒评测14nm引爆性能

发布时间:2020-02-13 21:54:36 阅读: 来源:乳胶枕厂家

安卓手机(mobile.hiapk.com)编辑:LYZ 时间:2015-06-09手机扫描分享 【三星Exynos 7420外媒评测】Galaxy S6、S6 Edge不仅在手机设计上开启了三星的一个新时代,同时在硬件上也是革命性的,因为它首次抛弃了高通骁龙平台,只用自家的Exynos。

高通骁龙810过热,而三星的Exynos 7420却是大红大紫,64位八核架构、14nm工艺、出色的性能,都让它出尽了风头。AnandTech今天也放出了对S6、S6 Edge的完整评测,其中就有Exynos 7420的性能测试。

※神奇的14nm工艺

Exynos 7420的制造工艺是三星旗下Systems LSI自己开发的14nm LPE (Low Power Early),而这也是继Intel 14nm之后,第二个达到如此先进程度的半导体工艺,但是Intel的新工艺目前还只用在PC和平板领域,并未进入手机。

得益于先进的工艺,Exynos 7420的核心面积只有大约78平方毫米,相比于20nm LPE工艺、同样八核A57/A53、113平方毫米Exynos 5433缩小了足足44%!而且别忘了,Exynos 7420还多了两个GPU核心,所以能瘦身这么多实在值得佩服。

除了内存控制器从LPDDR3升级为LPDDR4,新处理器的另一个明显变化是移除了HEVC H.265编码器模块,H.265的编码和解码都交给了三星新的MFC(多功能解码)媒体硬件加速模块。

S6主板和处理器等芯片

Exynos 7420内核金属层显微照片

FinFET立体晶体管技术的加入也异常重要,解决了传统平面晶体管在工艺提升后漏电率无法控制的难题,实际效果也非常棒:

Exynos 5433、7420供电电压对比

AVS也就是适应性电压缩放(Adaptive Scaling Voltage),后边的数字代表不同级别,越大代表芯片质量越好。

FinFET立体晶体管的好处在A57、GPU上体现得尤为明显,电压能降低最多275mV(毫伏),A53上也能降低最多160mV。

我们知道,功耗和电压的二次方成正比,所以1.9GHz A57的电压从1287.50mV降低到1056.25mV,功耗就能节省48%!

正是利用这样省出来的空间,Exynos 7420才可以跑到更高的频率上,A57、A53最高分别可达2.1GHz、1.5GHz,相比于Exynos 5433都提高了200MHz,而且运行中能一直稳定在较高频率,不像骁龙810那样一会儿就会过热降频。

GPU部分集成了更强大的ARM Mali-T760MP8,八个核心,频率772MHz(低负载最高700MHz),明显高于Exynos 5433 Mali-T760MP6的六个核心、700MHz(低负载最高600MHz)。

事实上,三星还隐藏了一个852MHz的更高频率状态,但并未启用,看来是留有后招。

哦对了内存,Exynos 7420现在支持LPDDR4-1555,带宽高达24.88GB/s,几乎是上代13.20GB/s的两倍了。

※三星Exynos 7420 CPU 性能实测:太残暴了

叨叨了这么半天,对于用户来说能跑出更好的成绩才是王道。

Web性能:S6系统自带浏览器优化得十分到位一骑绝尘,遥遥领先,完胜苹果A8,甚至不逊色于A8X,S6 Edge Chrome浏览器就表现平平了。

Basemark OS II 2.0综合性能:Exynos 7420创造了智能手机的的新纪录,唯一能超过它的就是平板上的A8X了。

系统测试:主要进行浮点和整数测试,以及XML分析,因此最考验CPU、内存,Exynos 7420再创新高,已经接近了A8X。

存储性能:新的UFS闪存存储标准结合三星颗粒很猛啊。

图形性能:这个一般了,后边GPU部分再细看。

Web性能:安卓里继续无敌,只是略微输给了iPhone。

PCMark:得益于优秀的处理器和闪存,S6继续领先,只有视频部分太差了。

※三星Exynos 7420GPU性能实测:同样牛逼

3DMark:整体性能非常接近骁龙810/805,物理性能因为更依赖CPU而十分突出,GPU就差点了基本介于iPhone 6、iPhone 6 Plus之间。

BaseMark X:这成绩都让人怀疑是在作弊了:比起S5翻了几乎一番,领先Adreno 430/420 25%甚至更多。

GFXBench 3:只看更有直接对比价值的offscreen统一分辨率部分,S6再次无敌,都领先第二名M9 15%甚至更多。

※三星S6闪存性能实测:第一个UFS 2.0手机

移动闪存存储目前普遍使用eMMC协议,最新版本5.1,最高带宽400MB/s。S6系列则第一个使用了通用闪存存储标准UFS 2.0,理论带宽高达720MB/s。

UFS专门针对eMMC的种种不足进行了优化改进,目的就是要却而代之。路还很长,但三星开了个好头。

S6里的UFS方案是三星自己开发的,最高速度只能达到300MB/s,但对于日常也足够了。

Androbench 3.6里边,S6的读写速度很强悍了,但并没有想象中那么强,主要是因为这个软件测试的队列深度只有1,无法充分释放潜力(三星这次的闪存方案队列深度最高为16)。

Androbench 4.0就发挥出来了,尤其是随机读写遥遥领先,也是当今最快的手机存储。

最后顺便看看Wi-Fi性能。S6的无线芯片是博通BCM4358,Note 4里就用过它。测试搭配路由器是华硕RT-AC68U。

543Mbps!又登顶了,而且比同方案的Note 4提升了多达15%,可能是改进了天线配置,从而提升了MIMO性能。

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