三星Exynos7420外媒评测14nm引爆性能

发布时间：2020-02-13 21:54:36 阅读：次来源：乳胶枕厂家

安卓手机（mobile.hiapk.com）编辑：LYZ 时间：2015-06-09手机扫描分享【三星Exynos 7420外媒评测】Galaxy S6、S6 Edge不仅在手机设计上开启了三星的一个新时代，同时在硬件上也是革命性的，因为它首次抛弃了高通骁龙平台，只用自家的Exynos。

高通骁龙810过热，而三星的Exynos 7420却是大红大紫，64位八核架构、14nm工艺、出色的性能，都让它出尽了风头。AnandTech今天也放出了对S6、S6 Edge的完整评测，其中就有Exynos 7420的性能测试。

※神奇的14nm工艺

Exynos 7420的制造工艺是三星旗下Systems LSI自己开发的14nm LPE (Low Power Early)，而这也是继Intel 14nm之后，第二个达到如此先进程度的半导体工艺，但是Intel的新工艺目前还只用在PC和平板领域，并未进入手机。

得益于先进的工艺，Exynos 7420的核心面积只有大约78平方毫米，相比于20nm LPE工艺、同样八核A57/A53、113平方毫米Exynos 5433缩小了足足44%!而且别忘了，Exynos 7420还多了两个GPU核心，所以能瘦身这么多实在值得佩服。

除了内存控制器从LPDDR3升级为LPDDR4，新处理器的另一个明显变化是移除了HEVC H.265编码器模块，H.265的编码和解码都交给了三星新的MFC(多功能解码)媒体硬件加速模块。

S6主板和处理器等芯片

Exynos 7420内核金属层显微照片

FinFET立体晶体管技术的加入也异常重要，解决了传统平面晶体管在工艺提升后漏电率无法控制的难题，实际效果也非常棒：

Exynos 5433、7420供电电压对比

AVS也就是适应性电压缩放(Adaptive Scaling Voltage)，后边的数字代表不同级别，越大代表芯片质量越好。

FinFET立体晶体管的好处在A57、GPU上体现得尤为明显，电压能降低最多275mV(毫伏)，A53上也能降低最多160mV。

我们知道，功耗和电压的二次方成正比，所以1.9GHz A57的电压从1287.50mV降低到1056.25mV，功耗就能节省48%!

正是利用这样省出来的空间，Exynos 7420才可以跑到更高的频率上，A57、A53最高分别可达2.1GHz、1.5GHz，相比于Exynos 5433都提高了200MHz，而且运行中能一直稳定在较高频率，不像骁龙810那样一会儿就会过热降频。

GPU部分集成了更强大的ARM Mali-T760MP8，八个核心，频率772MHz(低负载最高700MHz)，明显高于Exynos 5433 Mali-T760MP6的六个核心、700MHz(低负载最高600MHz)。

事实上，三星还隐藏了一个852MHz的更高频率状态，但并未启用，看来是留有后招。

哦对了内存，Exynos 7420现在支持LPDDR4-1555，带宽高达24.88GB/s，几乎是上代13.20GB/s的两倍了。

※三星Exynos 7420 CPU 性能实测：太残暴了

叨叨了这么半天，对于用户来说能跑出更好的成绩才是王道。

Web性能：S6系统自带浏览器优化得十分到位一骑绝尘，遥遥领先，完胜苹果A8，甚至不逊色于A8X，S6 Edge Chrome浏览器就表现平平了。

Basemark OS II 2.0综合性能：Exynos 7420创造了智能手机的的新纪录，唯一能超过它的就是平板上的A8X了。

系统测试：主要进行浮点和整数测试，以及XML分析，因此最考验CPU、内存，Exynos 7420再创新高，已经接近了A8X。

存储性能：新的UFS闪存存储标准结合三星颗粒很猛啊。

图形性能：这个一般了，后边GPU部分再细看。

Web性能：安卓里继续无敌，只是略微输给了iPhone。

PCMark：得益于优秀的处理器和闪存，S6继续领先，只有视频部分太差了。

※三星Exynos 7420GPU性能实测：同样牛逼

3DMark：整体性能非常接近骁龙810/805，物理性能因为更依赖CPU而十分突出，GPU就差点了基本介于iPhone 6、iPhone 6 Plus之间。

BaseMark X：这成绩都让人怀疑是在作弊了：比起S5翻了几乎一番，领先Adreno 430/420 25%甚至更多。

GFXBench 3：只看更有直接对比价值的offscreen统一分辨率部分，S6再次无敌，都领先第二名M9 15%甚至更多。

※三星S6闪存性能实测：第一个UFS 2.0手机

移动闪存存储目前普遍使用eMMC协议，最新版本5.1，最高带宽400MB/s。S6系列则第一个使用了通用闪存存储标准UFS 2.0，理论带宽高达720MB/s。

UFS专门针对eMMC的种种不足进行了优化改进，目的就是要却而代之。路还很长，但三星开了个好头。

S6里的UFS方案是三星自己开发的，最高速度只能达到300MB/s，但对于日常也足够了。

Androbench 3.6里边，S6的读写速度很强悍了，但并没有想象中那么强，主要是因为这个软件测试的队列深度只有1，无法充分释放潜力(三星这次的闪存方案队列深度最高为16)。

Androbench 4.0就发挥出来了，尤其是随机读写遥遥领先，也是当今最快的手机存储。

最后顺便看看Wi-Fi性能。S6的无线芯片是博通BCM4358，Note 4里就用过它。测试搭配路由器是华硕RT-AC68U。

543Mbps!又登顶了，而且比同方案的Note 4提升了多达15%，可能是改进了天线配置，从而提升了MIMO性能。