当所有存储器常遇问题FAQ一
所有存储器常遇问题(FAQ)(一)
问1:是否SDRAM DIMM模块装配了-10 SDRAM芯片就是与PC100兼容?
答:否,带-10SDRAM(100MHz)芯片的SDRAM DIMM模块仅仅支持66MHz系统。该模块不能保证与PC100(100MHz)系统兼容。
为保证模块与PC100兼容,应采用Micro系列标有-8A、-8B、-8C、-8D、-8E的芯片。
配-8A至-8C SDRAM芯片的Micro模块可设定CAS等待为3,以100MHz频率运行。
配-8d或-8e SDRAM芯片的Micro模块可设CAS等待为2,以100MHz频率运行。
请参考厂家的数据手册以确定正确的CAS等待。
问2:经PC133测速的SDRAM是否反过来可以与PC100兼容?
答:是。经过测试,PC133的AC定时指标允许系统总线工作在133MHz频率下。
PC100和PC66的定时技术指标对上述定时要求不严
大多数PC133芯片可以作为PC100和PC66使用。事实上,可以将-75芯片的CAS等待设为2,进行PC100定时。
请参考厂家数据手册,查阅CL=2时的tCK值。
问3:有些存储器模块供应商提供性能设置为的PC133模块。请问模块有何优点?
答:标识中的第一个数字是指CAS等待,因而您的问题是指CAS等待为2与CAS等待为3相比有何优点。
将CL值从3调到2,会缩短从“READ”命令发出至数据到达总线的时间。(快一个时钟脉冲)
根据基准测试的结果,设置的性能好于设置。
问4:72位和64位存塑料实验机中曲折模量的实验方法储器有何差别?
答:72位存储器即是通常所说的检错纠错(ECC)存储器。它多余的8位是用来进行检错和纠错。64位存储器是非ECC存储器。72位和64位的配置通常在168针引脚的DIMM中使用。
36位存储器是在荷兰通常所说的奇偶存储器。它多余的4位是用来进行奇偶校验。32位和36位的配置通常在72针引脚和30针引脚的SIMM中使用。
问5:2K和4K的SDRAM有何差别?
答:简而言之,没有太大差别。请别急,具体情况下面详述。
SDRAM具有多个内存组。16M的SDRAM有2组;64M有4组。当你讨论SDRAM的行或列地址时,你必须指明它们所在的内存组。因而引发问题:有时供应商把行地址和组地址混为一谈,简单称之为地址。有些供应商把2M x 8的SDRAM说成有11个行地址和1个组地址;而另一些供应商却将它说成有12个地址。这只是寻址。另外,对刷新来说,你还需指明刷新间隔(tREFb. 所有样品断路时)。对分布刷新方式,你只需用刷新循环数来分tREF就可得自动刷新间隔。具体表达为:
64ms/4096=15.6μs
由此得出结论:分布刷新方式对于二种器件来说是一样的(寻址和刷新);对脉冲刷新方式32ms的tREF仅是64 ms的一部分。对于一般PC应用,2K的器件已经足够了,4K器件没有任何优势。请注意,这个结论对异步DRAM并不适用。对于异步DRAM来说,2K和4K的寻址确有不同。
问6:缓冲和非缓冲的DIMM有何区别?
答:高密度DIMM配有很多芯片,因此它比低密度的DIMM具有较高的地址和控制信号容量。有些设计者采用再驱动缓冲器放大信号。这比不用缓冲器的相同密度模块来说可以减低系统负载。但是,增加缓冲器会引入信号延迟。
问7:什么是CAS等待(CL)?
答:CAS等待是指从发出“读”命令到数据读出之间的时钟周期数。CL值越小表示SDRAM在相同频率下运行的速度越快。
问8:从模块的外观上如何区分SDRAM、EPM、EDO等器件?
答:SDRAM、EDO、FPM从外观上看非常相似。区分它们的最好方法是看芯片的件号。大多数DRAM制造商都有自己的产品参考手册或在自己的站上公布产品件号。一种从外观判断芯片种类的通用方法是看它的类型和尺寸。EDO和FPM一般均采用SOJ封装,芯片比采用TSOP封装的SDRAM厚。EDO/FPM芯片的件号的末尾通常是-60,而SDRAM件号的末尾通常是-12、-10、-8、-7.5。SDRAM模块在接触片上方有一排电阻或电阻阵列。
问9:什么是刷新速度和自刷新?
答:存储器芯片由很多按行排列的单元组成。刷新过程就是对这些单元进行重新写操作。刷新循环指明了必须刷新行的序列数。一般的刷新周期为2K、4K、8K。刷新循环与刷新周期决定了刷新的频繁程度即:刷新速度。对同样的刷新周期来说,4K刷新比方汽车轻量化部件比2K刷新需要更高的刷新速度。对同样尺寸的DRAM来说,4K刷新比2K刷新所耗功率更低。有些特殊设计的DRAM具有自刷新功能,它们可以自行进行刷新而与CPU和外部刷新电路无关。由于自刷新是在DRAM内部进行的因而降低了功耗。该技术通常用于笔记本电脑。
问10:EDO DRAM与标准DRAM(快页方式)之间有何差别?
答:根据主板上高速缓冲区(
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